RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
64
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
1,869.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,477.7
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,869.1
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
697
3942
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Inmos + 256MB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link