RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
64
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.6
1,869.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,477.7
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,869.1
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
697
1832
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link