RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
64
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,869.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
47
Prędkość odczytu, GB/s
4,477.7
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,869.1
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
697
2875
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link