RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
64
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,869.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
47
Prędkość odczytu, GB/s
4,477.7
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,869.1
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
697
2875
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link