RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
64
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.6
1,869.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
47
Скорость чтения, Гб/сек
4,477.7
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,869.1
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
697
2875
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link