RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
50
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
3010
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Corsair CM3X8GA1600C11V2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link