Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Pontuação geral
star star star star star
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB

Diferenças

  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 17000
    Por volta de 1.51% maior largura de banda
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    22 left arrow 50
    Por volta de -127% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    18.1 left arrow 15.3
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    14.4 left arrow 10.9
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    50 left arrow 22
  • Velocidade de leitura, GB/s
    15.3 left arrow 18.1
  • Velocidade de escrita, GB/s
    10.9 left arrow 14.4
  • Largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2512 left arrow 3010
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações