RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
15.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
50
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
38
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
2892
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link