RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
71
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2879
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link