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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
14.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
71
Intorno -196% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
24
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2879
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
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