RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Porównaj
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.4
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2660
2824
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link