RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
50
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR5
Opóźnienie w PassMark, ns
50
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
no data / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
3392
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link