RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
50
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
3014
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link