RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
50
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
3771
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link