RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
50
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
3771
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link