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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
比较
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
50
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
25
读取速度,GB/s
15.3
20.0
写入速度,GB/s
10.9
16.0
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2512
3771
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
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Kingston 9905712-009.A00G 16GB
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Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
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