RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
50
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
18.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
3738
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link