RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Porównaj
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
9.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
47
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
40
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2323
2031
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R7416G2400U2S 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link