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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Compara
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Puntuación global
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.8
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
47
En -18% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
40
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
9.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2323
2031
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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