RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Confronto
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Punteggio complessivo
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.8
9.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
6.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
47
Intorno -18% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
40
Velocità di lettura, GB/s
11.8
9.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2323
2031
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link