RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
50
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.9
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
18.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
4219
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link