RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
50
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
3731
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link