RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
60
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
11.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
38
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2359
2944
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link