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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
比较
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
总分
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
60
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
11.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
38
读取速度,GB/s
15.3
16.2
写入速度,GB/s
11.0
13.3
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2359
2944
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
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