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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.9
11
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
11.9
11.0
写入速度,GB/s
8.5
8.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
2271
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
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