RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Porównaj
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
62
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
9.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
62
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.9
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2422
2710
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link