RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Porównaj
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
39
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
39
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.9
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2824
2958
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link