RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Porównaj
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2767
2291
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link