RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
35
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2767
2449
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Lifetime Memory Products LIFETIMEMEMORY.COM 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link