RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Porównaj
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
35
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
15.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2767
2846
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link