RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Porównaj
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
5.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.4
5.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2660
1424
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link