RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Compara
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
5.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
46
En -44% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
32
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.4
5.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2660
1424
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link