RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Porównaj
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
38
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2470
3465
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link