RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
55
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
55
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2470
2701
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link