RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2196
2973
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link