RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Porównaj
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2196
2708
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link