RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Porównaj
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
54
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
54
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
10.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2196
2313
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link