RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Porównaj
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2196
2801
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link