RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
66
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
66
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2429
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link