RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
38
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
36
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2231
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link