RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2128
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Jinyu 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link