RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
38
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2478
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link