RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
38
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3936
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Jinyu 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link