RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
38
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3007
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/2GX 2GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Inmos + 256MB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link