RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3587
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Inmos + 256MB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link