RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
38
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3553
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link