RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2545
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link