RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3300
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link