RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
38
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3405
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link