RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
38
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
15.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2817
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link