RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
38
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
15.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2848
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link