RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3655
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link